FDMS8050ET30

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EXSHINE Modèle de produit:	EX-FDMS8050ET30
Fabricant Modèle de produit:	FDMS8050ET30
Fabricant / Marque:	Fairchild/ON Semiconductor
Brève description:	MOSFET N-CH 30V 55A 8-PQFN
État sans plomb / État RoHS:	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:	New and unused, Original
Datasheet Télécharger:	FDMS8050ET30
Application:	-
Poids:	-
Remplacement alternatif:	-

Disponibilité en temps réel pour

FDMS8050ET30
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Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines

La description
Paiement
livraison
Emballage

Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 750µA
Vgs (Max)	±20V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur	Power56
Séries	PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs	0.65 mOhm @ 55A, 10V
Dissipation de puissance (max)	3.3W (Ta), 180W (Tc)
Emballage	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte	8-PowerTDFN
Autres noms	FDMS8050ET30TR
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant	6 Weeks
Référence fabricant	FDMS8050ET30
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	22610pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	285nC @ 10V
type de FET	N-Channel
Fonction FET	-
Description élargie	N-Channel 30V 55A (Ta), 423A (Tc) 3.3W (Ta), 180W (Tc) Surface Mount Power56
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss)	30V
La description	MOSFET N-CH 30V 55A 8-PQFN
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	55A (Ta), 423A (Tc)

Autres

Emballage normal	3,000
Autres noms	FDMS8050ET30TR

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