RFD4N06LSM9A

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RFD4N06LSM9A

EXSHINE Modèle de produit:EX-RFD4N06LSM9A
Fabricant Modèle de produit:RFD4N06LSM9A
Fabricant / Marque:Fairchild/ON Semiconductor
Brève description:MOSFET N-CH 60V 4A DPAK
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:RFD4N06L, RFD4N06LSM
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RFD4N06LSM9A
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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur TO-252AA
Séries -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600 mOhm @ 1A, 5V
Dissipation de puissance (max) 30W (Tc)
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Référence fabricant RFD4N06LSM9A
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 8nC @ 10V
type de FET N-Channel
Fonction FET -
Description élargie N-Channel 60V 4A (Tc) 30W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Tension drain-source (Vdss) 60V
La description MOSFET N-CH 60V 4A DPAK
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4A (Tc)

Autres

Emballage normal 2,500

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Distributeur de Fairchild/ON Semiconductor

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