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RFD77306

EXSHINE Modèle de produit:EX-RFD77306
Fabricant Modèle de produit:RFD77306
Fabricant / Marque:RF Digital
Brève description:IOT 3D TOF SENSOR SHIELD
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:RFD77306, RFD77804RFD77402
Application:-
Poids:-
Remplacement alternatif:-
Disponibilité en temps réel pour
RFD77306
En stock: 54080 les pièces peuvent être expédiées sous 1 à 2 jours.
Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines

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Paramètre du produit

Tension - Alimentation -
CI / pièce RFD77402
Contenu fourni Board
Séries Simblee™
Type de capteur Light, 3D Time-of-Flight (ToF)
Sensibilité -
Portée de détection -
Autres noms 1562-1041
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Référence fabricant RFD77306
Interface I²C
Description élargie RFD77402 Simblee™ Light, 3D Time-of-Flight (ToF) Sensor Evaluation Board
embarqué -
La description IOT 3D TOF SENSOR SHIELD

Autres

Autres noms 1562-1041
Emballage normal 1

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Distributeur de RF Digital Corporation

- RFMD®, l’un des principaux fournisseurs de circuits RFIC, propose une vaste gamme de produits comprenant des blocs de gain, des pré-drivers, des drivers, des LNA, des modulateurs directs, des démodulateurs et des transistors de puissance pour les infrastructures sans fil et les applications CATV.
Nos produits, tous conformes à la directive RoHS et sans plomb, offrent la linéarité et les performances large bande les plus élevées requises par les normes d'infrastructure sans fil, tout en accordant une attention particulière aux performances et à la fiabilité thermiques pour garantir que nos produits répondent aux normes strictes de l'industrie. Notre série RF386X d'amplificateurs à faible bruit (LNA) GaAs pHEMT offre des performances large bande (380 MHz - 3800 MHz), d'excellentes performances IP3 à faible bruit, gain élevé et rendement élevé. La feuille de route de l’infrastructure de RFMD comprend également la commercialisation de transistors à haute puissance et d’amplificateurs à large bande au nitrure de gallium (GaN).

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