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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Diodes - redresseurs - tableaux > MBR12035CTR
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MBR12035CTR
| EXSHINE Modèle de produit: | EX-MBR12035CTR |
|---|---|
| Fabricant Modèle de produit: | MBR12035CTR |
| Fabricant / Marque: | GeneSiC Semiconductor |
| Brève description: | DIODE MODULE 35V 120A 2TOWER |
| État sans plomb / État RoHS: | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Condition: | 1 |
| Datasheet Télécharger: | MBR12020CT thru MBR12040CTRTwin Tower Pkg Drawing |
| Application: | - |
| Poids: | - |
| Remplacement alternatif: | - |
Disponibilité en temps réel pour
MBR12035CTR
En stock: 51340 les pièces peuvent être expédiées sous 1 à 2 jours.
Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines
En stock: 51340 les pièces peuvent être expédiées sous 1 à 2 jours.
Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines
- La description
- Paiement
- livraison
- Emballage
Paramètre du produit
| Tension - directe (Vf) (max) @ Si | 650mV @ 120A |
|---|---|
| Tension - inverse (Vr) (max) | 35V |
| Package composant fournisseur | Twin Tower |
| La vitesse | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Séries | - |
| Emballage | Bulk |
| Package / Boîte | Twin Tower |
| Autres noms | MBR12035CTRGN |
| Type de montage | Chassis Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant | 4 Weeks |
| Référence fabricant | MBR12035CTR |
| Description élargie | Diode Array 1 Pair Common Anode Schottky 35V 120A (DC) Chassis Mount Twin Tower |
| Type de diode | Schottky |
| Configuration diode | 1 Pair Common Anode |
| La description | DIODE MODULE 35V 120A 2TOWER |
| Courant - fuite, inverse à Vr | 3mA @ 20V |
| Courant - Moyen redressé (Io) (par diode) | 120A (DC) |
Autres
| Emballage normal | 25 |
|---|---|
| Autres noms | MBR12035CTRGN |
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Distributeur de GeneSiC Semiconductor
- Global Power Technologies Group, Inc. («GPTG»), créée en 2007, est une société intégrée de développement et de fabrication dédiée aux produits basés sur les technologies au carbure de silicium (SiC). Ces produits constitueront les fondements des industries de l'électronique de puissance et de l'énergie dans les années à venir, où des technologies de pointe sont nécessaires pour la production, la conversion et le transport d'énergie à faible coût et de haute efficacité.