MBR12040CT

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MBR12040CT

EXSHINE Modèle de produit:EX-MBR12040CT
Fabricant Modèle de produit:MBR12040CT
Fabricant / Marque:GeneSiC Semiconductor
Brève description:DIODE MODULE 40V 120A 2TOWER
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:1
Datasheet Télécharger:MBR12020CT thru MBR12040CTRD-67 (Half Pak) Pkg Drawing
Application:-
Poids:-
Remplacement alternatif:-
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MBR12040CT
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Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines

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Paramètre du produit

Tension - directe (Vf) (max) @ Si 650mV @ 120A
Tension - inverse (Vr) (max) 40V
Package composant fournisseur Twin Tower
La vitesse Fast Recovery = 200mA (Io)
Séries -
Emballage Bulk
Package / Boîte Twin Tower
Autres noms 1242-1024
Température d'utilisation - Jonction -55°C ~ 150°C
Type de montage Chassis Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 4 Weeks
Référence fabricant MBR12040CT
Description élargie Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 40V 120A (DC) Chassis Mount Twin Tower
Type de diode Schottky
Configuration diode 1 Pair Common Cathode
La description DIODE MODULE 40V 120A 2TOWER
Courant - fuite, inverse à Vr 3mA @ 20V
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode) 120A (DC)

Autres

Emballage normal 25
Autres noms 1242-1024

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Distributeur de GeneSiC Semiconductor

- Global Power Technologies Group, Inc. («GPTG»), créée en 2007, est une société intégrée de développement et de fabrication dédiée aux produits basés sur les technologies au carbure de silicium (SiC). Ces produits constitueront les fondements des industries de l'électronique de puissance et de l'énergie dans les années à venir, où des technologies de pointe sont nécessaires pour la production, la conversion et le transport d'énergie à faible coût et de haute efficacité.

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