AUIRF7309QTR

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AUIRF7309QTR

EXSHINE Modèle de produit:EX-AUIRF7309QTR
Fabricant Modèle de produit:AUIRF7309QTR
Fabricant / Marque:Infineon Technologies
Brève description:MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SOIC
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:AUIRF7309Q
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AUIRF7309QTR
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Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines

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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Package composant fournisseur 8-SO
Séries HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50 mOhm @ 2.4A, 10V
Puissance - Max 1.4W
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Autres noms SP001521596
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 10 Weeks
Référence fabricant AUIRF7309QTR
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 520pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 4.5V
type de FET N and P-Channel
Fonction FET Logic Level Gate
Description élargie Mosfet Array N and P-Channel 30V 4A, 3A 1.4W Surface Mount 8-SO
Tension drain-source (Vdss) 30V
La description MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SOIC
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4A, 3A

Autres

Autres noms SP001521596
Emballage normal 4,000

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