AUIRF7313QTR

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AUIRF7313QTR

EXSHINE Modèle de produit:EX-AUIRF7313QTR
Fabricant Modèle de produit:AUIRF7313QTR
Fabricant / Marque:Infineon Technologies
Brève description:MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SOIC
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:AUIRF7313Q
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AUIRF7313QTR
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Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines

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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Package composant fournisseur 8-SO
Séries HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 29 mOhm @ 6.9A, 10V
Puissance - Max 2.4W
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Autres noms SP001519208
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 10 Weeks
Référence fabricant AUIRF7313QTR
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 755pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 33nC @ 10V
type de FET 2 N-Channel (Dual)
Fonction FET Logic Level Gate
Description élargie Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6.9A 2.4W Surface Mount 8-SO
Tension drain-source (Vdss) 30V
La description MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SOIC
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 6.9A

Autres

Autres noms SP001519208
Emballage normal 4,000

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