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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > IPD50R500CEBTMA1
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IPD50R500CEBTMA1
| EXSHINE Modèle de produit: | EX-IPD50R500CEBTMA1 |
|---|---|
| Fabricant Modèle de produit: | IPD50R500CEBTMA1 |
| Fabricant / Marque: | Infineon Technologies |
| Brève description: | MOSFET N-CH 500V 7.6A PG-TO252 |
| État sans plomb / État RoHS: | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Condition: | New and unused, Original |
| Datasheet Télécharger: | 500V CoolMOS CE BriefIPD50R500CE Datasheet |
| Application: | - |
| Poids: | - |
| Remplacement alternatif: | - |
Disponibilité en temps réel pour
IPD50R500CEBTMA1
En stock: 70984000 les pièces peuvent être expédiées sous 1 à 2 jours.
Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines
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Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines
- La description
- Paiement
- livraison
- Emballage
Paramètre du produit
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 200µA |
|---|---|
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | PG-TO252-3 |
| Séries | CoolMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500 mOhm @ 2.3A, 13V |
| Dissipation de puissance (max) | 57W (Tc) |
| Emballage | Original-Reel® |
| Package / Boîte | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Autres noms | IPD50R500CEINDKR IPD50R500CEINDKR-ND |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Référence fabricant | IPD50R500CEBTMA1 |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 433pF @ 100V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 18.7nC @ 10V |
| type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | Super Junction |
| Description élargie | N-Channel 500V 7.6A (Tc) 57W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 |
| Tension drain-source (Vdss) | 500V |
| La description | MOSFET N-CH 500V 7.6A PG-TO252 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 7.6A (Tc) |
Autres
| Emballage normal | 1 |
|---|---|
| Autres noms | IPD50R500CEINDKR IPD50R500CEINDKR-ND |
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