IPD50R520CP

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IPD50R520CP

EXSHINE Modèle de produit:EX-IPD50R520CP
Fabricant Modèle de produit:IPD50R520CP
Fabricant / Marque:Infineon Technologies
Brève description:MOSFET N-CH 550V 7.1A TO-252
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:IPD50R520CP
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IPD50R520CP
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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur PG-TO252-3
Séries CoolMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 520 mOhm @ 3.8A, 10V
Dissipation de puissance (max) 66W (Tc)
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Autres noms SP000236063
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Référence fabricant IPD50R520CP
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 680pF @ 100V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 10V
type de FET N-Channel
Fonction FET -
Description élargie N-Channel 550V 7.1A (Tc) 66W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Tension drain-source (Vdss) 550V
La description MOSFET N-CH 550V 7.1A TO-252
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 7.1A (Tc)

Autres

Autres noms SP000236063
Emballage normal 2,500

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