IPD50R950CEATMA1

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IPD50R950CEATMA1

EXSHINE Modèle de produit:EX-IPD50R950CEATMA1
Fabricant Modèle de produit:IPD50R950CEATMA1
Fabricant / Marque:Infineon Technologies
Brève description:MOSFET N-CH 500V 4.3A PG-T0252
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:500V CoolMOS CE BriefIPD50R950CE, IPU50R950CE
Application:-
Poids:-
Remplacement alternatif:-
Disponibilité en temps réel pour
IPD50R950CEATMA1
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Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines

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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 100µA
Vgs (Max) ±20V
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur PG-TO252-3
Séries CoolMOS™ CE
Rds On (Max) @ Id, Vgs 950 mOhm @ 1.2A, 13V
Dissipation de puissance (max) 53W (Tc)
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Autres noms IPD50R950CEATMA1-ND
IPD50R950CEATMA1TR
SP001117712
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 3 (168 Hours)
Référence fabricant IPD50R950CEATMA1
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 231pF @ 100V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 10.5nC @ 10V
type de FET N-Channel
Fonction FET -
Description élargie N-Channel 500V 4.3A (Tc) 53W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 13V
Tension drain-source (Vdss) 500V
La description MOSFET N-CH 500V 4.3A PG-T0252
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4.3A (Tc)

Autres

Emballage normal 2,500
Autres noms IPD50R950CEATMA1-ND

IPD50R950CEATMA1TR

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