EXSHINE Modèle de produit: | EX-IRF7580MTRPBF |
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Fabricant Modèle de produit: | IRF7580MTRPBF |
Fabricant / Marque: | Infineon Technologies |
Brève description: | MOSFET N-CH 60V 114A DIRECTFET |
État sans plomb / État RoHS: | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Condition: | New and unused, Original |
Datasheet Télécharger: | IRF7580MTRPbF |
Application: | - |
Poids: | - |
Remplacement alternatif: | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.7V @ 150µA |
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Vgs (Max) | ±20V |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur | DirectFET™ Isometric ME |
Séries | StrongIRFET™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.6 mOhm @ 70A, 10V |
Dissipation de puissance (max) | 115W (Tc) |
Emballage | Tape & Reel (TR) |
Package / Boîte | DirectFET™ Isometric ME |
Autres noms | IRF7580MTRPBFTR SP001551448 |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Délai de livraison standard du fabricant | 12 Weeks |
Référence fabricant | IRF7580MTRPBF |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 6510pF @ 25V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 180nC @ 10V |
type de FET | N-Channel |
Fonction FET | - |
Description élargie | N-Channel 60V 114A (Tc) 115W (Tc) Surface Mount DirectFET™ Isometric ME |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 6V, 10V |
Tension drain-source (Vdss) | 60V |
La description | MOSFET N-CH 60V 114A DIRECTFET |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 114A (Tc) |
Emballage normal | 4,800 |
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Autres noms | IRF7580MTRPBFTR SP001551448 |
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