IRF7601PBF

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IRF7601PBF

EXSHINE Modèle de produit:EX-IRF7601PBF
Fabricant Modèle de produit:IRF7601PBF
Fabricant / Marque:Infineon Technologies
Brève description:MOSFET N-CH 20V 5.7A MICRO-8
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:IRF7601PbF
Application:-
Poids:-
Remplacement alternatif:-
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IRF7601PBF
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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 700mV @ 250µA
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur Micro8™
Séries HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35 mOhm @ 3.8A, 4.5V
Dissipation de puissance (max) 1.8W (Ta)
Emballage Tube
Package / Boîte 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Autres noms SP001551458
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Référence fabricant IRF7601PBF
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 650pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 22nC @ 4.5V
type de FET N-Channel
Fonction FET -
Description élargie N-Channel 20V 5.7A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount Micro8™
Tension drain-source (Vdss) 20V
La description MOSFET N-CH 20V 5.7A MICRO-8
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 5.7A (Ta)

Autres

Autres noms SP001551458
Emballage normal 80

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