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IRFSL17N20D

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IRFSL17N20D

EXSHINE Modèle de produit:EX-IRFSL17N20D
Fabricant Modèle de produit:IRFSL17N20D
Fabricant / Marque:Infineon Technologies
Brève description:MOSFET N-CH 200V 16A TO-262
État sans plomb / État RoHS:Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:IRF(B,S,SL)17N20D
Application:-
Poids:-
Remplacement alternatif:-
Disponibilité en temps réel pour
IRFSL17N20D
En stock: 60954 les pièces peuvent être expédiées sous 1 à 2 jours.
Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines

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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur TO-262
Séries HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 170 mOhm @ 9.8A, 10V
Dissipation de puissance (max) 3.8W (Ta), 140W (Tc)
Emballage Tube
Package / Boîte TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Autres noms *IRFSL17N20D
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Référence fabricant IRFSL17N20D
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1100pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 50nC @ 10V
type de FET N-Channel
Fonction FET -
Description élargie N-Channel 200V 16A (Tc) 3.8W (Ta), 140W (Tc) Through Hole TO-262
Tension drain-source (Vdss) 200V
La description MOSFET N-CH 200V 16A TO-262
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 16A (Tc)

Autres

Autres noms *IRFSL17N20D
Emballage normal 50

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