IRFSL11N50APBF

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IRFSL11N50APBF

EXSHINE Modèle de produit:EX-IRFSL11N50APBF
Fabricant Modèle de produit:IRFSL11N50APBF
Fabricant / Marque:Vishay / Siliconix
Brève description:MOSFET N-CH 500V 11A TO-262
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:IRFSL11N50A
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IRFSL11N50APBF
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Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines

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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur TO-262-3
Séries -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 550 mOhm @ 6.6A, 10V
Dissipation de puissance (max) 190W (Tc)
Emballage Tube
Package / Boîte TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Autres noms *IRFSL11N50APBF
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 11 Weeks
Référence fabricant IRFSL11N50APBF
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1426pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 51nC @ 10V
type de FET N-Channel
Fonction FET -
Description élargie N-Channel 500V 11A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-262-3
Tension drain-source (Vdss) 500V
La description MOSFET N-CH 500V 11A TO-262
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 11A (Tc)

Autres

Autres noms *IRFSL11N50APBF
Emballage normal 1,000

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Distributeur de Vishay Siliconix

- Le portefeuille de produits de Vishay comprend une collection inégalée de semi-conducteurs discrets (diodes, MOSFET et optoélectronique) et de composants passifs (résistances, inductances et condensateurs). Ces composants sont utilisés dans pratiquement tous les types d'appareils et équipements électroniques des marchés de l'industrie, de l'informatique, de l'automobile, de la consommation, des télécommunications, de l'armée, de l'aérospatiale et de la médecine. Vishay est fier d'être un partenaire majeur de exshinetech.com.

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