BS2100F-E2

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BS2100F-E2

EXSHINE Modèle de produit:EX-BS2100F-E2
Fabricant Modèle de produit:BS2100F-E2
Fabricant / Marque:LAPIS Semiconductor
Brève description:IC DVR IGBT/MOSFET
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:BS2100F
Application:-
Poids:-
Remplacement alternatif:-
Disponibilité en temps réel pour
BS2100F-E2
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Paramètre du produit

Tension - Alimentation 10 V ~ 18 V
Package composant fournisseur 8-SOP
Séries -
Rise / Fall Time (Typ) 200ns, 100ns
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Autres noms BS2100F-E2TR
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Nombre de conducteurs 2
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Référence fabricant BS2100F-E2
Tension logique - VIL, VIH 1V, 2.6V
Type d'entrée Non-Inverting
Côté haut potentiel - Max (Bootstrap) 600V
Type de porte N-Channel MOSFET
Description élargie Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOP
Configuration pilotée Half-Bridge
La description IC DVR IGBT/MOSFET
Current - Peak Output (Source, Évier) 60mA, 130mA
courant de charge Independent

Autres

Emballage normal 2,500
Autres noms BS2100F-E2TR

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