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BS2103F-E2
| EXSHINE Modèle de produit: | EX-BS2103F-E2 |
|---|---|
| Fabricant Modèle de produit: | BS2103F-E2 |
| Fabricant / Marque: | LAPIS Semiconductor |
| Brève description: | IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOP |
| État sans plomb / État RoHS: | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Condition: | New and unused, Original |
| Datasheet Télécharger: | BS2103F |
| Application: | - |
| Poids: | - |
| Remplacement alternatif: | - |
Disponibilité en temps réel pour
BS2103F-E2
En stock: 36172000 les pièces peuvent être expédiées sous 1 à 2 jours.
Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines
En stock: 36172000 les pièces peuvent être expédiées sous 1 à 2 jours.
Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines
- La description
- Paiement
- livraison
- Emballage
Paramètre du produit
| Tension - Alimentation | 10 V ~ 18 V |
|---|---|
| Package composant fournisseur | 8-SOP |
| Séries | - |
| Rise / Fall Time (Typ) | 200ns, 100ns |
| Emballage | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte | 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) |
| Autres noms | BS2103F-E2TR |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Nombre de conducteurs | 2 |
| Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant | 17 Weeks |
| Référence fabricant | BS2103F-E2 |
| Tension logique - VIL, VIH | 1V, 2.6V |
| Type d'entrée | Non-Inverting |
| Côté haut potentiel - Max (Bootstrap) | 600V |
| Type de porte | IGBT, N-Channel MOSFET |
| Description élargie | Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOP |
| Configuration pilotée | Half-Bridge |
| La description | IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOP |
| Current - Peak Output (Source, Évier) | 60mA, 130mA |
| courant de charge | Independent |
Autres
| Emballage normal | 2,500 |
|---|---|
| Autres noms | BS2103F-E2TR |
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Distributeur de Rohm Semiconductor
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