QH8JA1TCR

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QH8JA1TCR

EXSHINE Modèle de produit:EX-QH8JA1TCR
Fabricant Modèle de produit:QH8JA1TCR
Fabricant / Marque:LAPIS Semiconductor
Brève description:20V PCH+PCH MIDDLE POWER MOSFET,
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:QH8JA1
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QH8JA1TCR
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Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines

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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 1mA
Package composant fournisseur TSMT8
Séries -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 38 mOhm @ 5A, 4.5V
Puissance - Max 1.5W
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte 8-SMD, Flat Lead
Autres noms QH8JA1TCRTR
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 10 Weeks
Référence fabricant QH8JA1TCR
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 720pF @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 10.2nC @ 4.5V
type de FET 2 P-Channel (Dual)
Fonction FET -
Description élargie Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 5A 1.5W Surface Mount TSMT8
Tension drain-source (Vdss) 30V
La description 20V PCH+PCH MIDDLE POWER MOSFET,
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 5A

Autres

Emballage normal 3,000
Autres noms QH8JA1TCRTR

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