QH8KA1TCR

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QH8KA1TCR

EXSHINE Modèle de produit:EX-QH8KA1TCR
Fabricant Modèle de produit:QH8KA1TCR
Fabricant / Marque:LAPIS Semiconductor
Brève description:30V NCH+NCH POWER MOSFET
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:1
Datasheet Télécharger:QH8KA1
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Poids:-
Remplacement alternatif:-
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QH8KA1TCR
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Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines

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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Package composant fournisseur TSMT8
Séries -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 73 mOhm @ 4.5A, 10V
Puissance - Max 2.4W
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte 8-SMD, Flat Lead
Autres noms QH8KA1TCRTR
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 10 Weeks
Référence fabricant QH8KA1TCR
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 125pf @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 3nC @ 10V
type de FET 2 N-Channel (Dual)
Fonction FET -
Description élargie Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 4.5A 2.4W Surface Mount TSMT8
Tension drain-source (Vdss) 30V
La description 30V NCH+NCH POWER MOSFET
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4.5A

Autres

Emballage normal 3,000
Autres noms QH8KA1TCRTR

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