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R6020KNJTL

EXSHINE Modèle de produit:EX-R6020KNJTL
Fabricant Modèle de produit:R6020KNJTL
Fabricant / Marque:LAPIS Semiconductor
Brève description:NCH 600V 20A POWER MOSFET
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:1
Datasheet Télécharger:R6020KNJ
Application:-
Poids:-
Remplacement alternatif:-
Disponibilité en temps réel pour
R6020KNJTL
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Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines

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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 1mA
Vgs (Max) ±20V
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur TO-263
Séries -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 196 mOhm @ 9.5A, 10V
Dissipation de puissance (max) 231W (Tc)
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Autres noms R6020KNJTLTR
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 17 Weeks
Référence fabricant R6020KNJTL
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1550pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 40nC @ 10V
type de FET N-Channel
Fonction FET -
Description élargie N-Channel 600V 20A (Tc) 231W (Tc) Surface Mount TO-263
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V
Tension drain-source (Vdss) 600V
La description NCH 600V 20A POWER MOSFET
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 20A (Tc)

Autres

Emballage normal 1,000
Autres noms R6020KNJTLTR

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