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R6020KNZC8
| EXSHINE Modèle de produit: | EX-R6020KNZC8 |
|---|---|
| Fabricant Modèle de produit: | R6020KNZC8 |
| Fabricant / Marque: | LAPIS Semiconductor |
| Brève description: | NCH 600V 20A POWER MOSFET |
| État sans plomb / État RoHS: | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Condition: | 1 |
| Datasheet Télécharger: | R6020KNZ |
| Application: | - |
| Poids: | - |
| Remplacement alternatif: | - |
Disponibilité en temps réel pour
R6020KNZC8
En stock: 24950 les pièces peuvent être expédiées sous 1 à 2 jours.
Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines
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Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines
- La description
- Paiement
- livraison
- Emballage
Paramètre du produit
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
|---|---|
| Vgs (Max) | ±20V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | TO-3PF |
| Séries | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 196 mOhm @ 9.5A, 10V |
| Dissipation de puissance (max) | 68W (Tc) |
| Emballage | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte | TO-3P-3 Full Pack |
| Autres noms | R6020KNZC8TR R6020KNZC8TR-ND |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant | 15 Weeks |
| Référence fabricant | R6020KNZC8 |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1550pF @ 25V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 10V |
| type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - |
| Description élargie | N-Channel 600V 20A (Tc) 68W (Tc) Through Hole TO-3PF |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
| Tension drain-source (Vdss) | 600V |
| La description | NCH 600V 20A POWER MOSFET |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 20A (Tc) |
Autres
| Autres noms | R6020KNZC8TR R6020KNZC8TR-ND |
|---|---|
| Emballage normal | 30 |
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