RF4C050APTR

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RF4C050APTR

EXSHINE Modèle de produit:EX-RF4C050APTR
Fabricant Modèle de produit:RF4C050APTR
Fabricant / Marque:LAPIS Semiconductor
Brève description:MOSFET P-CH 20V 10A 8HUML
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:1
Datasheet Télécharger:RF4C050AP
Application:-
Poids:-
Remplacement alternatif:-
Disponibilité en temps réel pour
RF4C050APTR
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Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines

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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA
Vgs (Max) -8V
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur 6-HUML2020L8 (2x2)
Séries -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 26 mOhm @ 5A, 4.5V
Dissipation de puissance (max) 2W (Ta)
Emballage Original-Reel®
Package / Boîte 8-PowerUDFN
Autres noms RF4C050APTRDKR
RF4C050APTRDKR-ND
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 10 Weeks
Référence fabricant RF4C050APTR
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5500pF @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 55nC @ 4.5V
type de FET P-Channel
Fonction FET -
Description élargie P-Channel 20V 10A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 6-HUML2020L8 (2x2)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 1.8V, 4.5V
Tension drain-source (Vdss) 20V
La description MOSFET P-CH 20V 10A 8HUML
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 10A (Ta)

Autres

Autres noms RF4C050APTRDKR

RF4C050APTRDKR-ND
Emballage normal 1

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