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RF4E110GNTR
| EXSHINE Modèle de produit: | EX-RF4E110GNTR |
|---|---|
| Fabricant Modèle de produit: | RF4E110GNTR |
| Fabricant / Marque: | LAPIS Semiconductor |
| Brève description: | MOSFET N-CH 30V 11A 8-HUML |
| État sans plomb / État RoHS: | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Condition: | 1 |
| Datasheet Télécharger: | RF4E110GN |
| Application: | - |
| Poids: | - |
| Remplacement alternatif: | - |
Disponibilité en temps réel pour
RF4E110GNTR
En stock: 17368000 les pièces peuvent être expédiées sous 1 à 2 jours.
Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines
En stock: 17368000 les pièces peuvent être expédiées sous 1 à 2 jours.
Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines
- La description
- Paiement
- livraison
- Emballage
Paramètre du produit
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max) | ±20V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | 6-HUML2020L8 (2x2) |
| Séries | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.3 mOhm @ 11A, 10V |
| Dissipation de puissance (max) | 2W (Ta) |
| Emballage | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte | 8-PowerUDFN |
| Autres noms | RF4E110GNTRTR |
| Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant | 10 Weeks |
| Référence fabricant | RF4E110GNTR |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 504pF @ 15V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 7.4nC @ 10V |
| type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - |
| Description élargie | N-Channel 30V 11A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 6-HUML2020L8 (2x2) |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V |
| Tension drain-source (Vdss) | 30V |
| La description | MOSFET N-CH 30V 11A 8-HUML |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 11A (Ta) |
Autres
| Emballage normal | 3,000 |
|---|---|
| Autres noms | RF4E110GNTRTR |
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Distributeur de Rohm Semiconductor
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