RFUH10NS4STL

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RFUH10NS4STL

EXSHINE Modèle de produit:EX-RFUH10NS4STL
Fabricant Modèle de produit:RFUH10NS4STL
Fabricant / Marque:LAPIS Semiconductor
Brève description:DIODE GEN PURP 430V 10A LPDS
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:RFUH10NS4S
Application:-
Poids:-
Remplacement alternatif:-
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RFUH10NS4STL
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Paramètre du produit

Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1.7V @ 10A
Tension - inverse (Vr) (max) 430V
Package composant fournisseur LPDS
La vitesse Fast Recovery = 200mA (Io)
Séries -
Temps de recouvrement inverse (trr) 25ns
Emballage Original-Reel®
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Autres noms RFUH10NS4STLDKR
Température d'utilisation - Jonction 150°C (Max)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Référence fabricant RFUH10NS4STL
Description élargie Diode Standard 430V 10A Surface Mount LPDS
Type de diode Standard
La description DIODE GEN PURP 430V 10A LPDS
Courant - fuite, inverse à Vr 10µA @ 430V
Courant - Rectifié moyenne (Io) 10A
Capacité à Vr, F -

Autres

Autres noms RFUH10NS4STLDKR
Emballage normal 1

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