RFUH10NS6STL

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RFUH10NS6STL

EXSHINE Modèle de produit:EX-RFUH10NS6STL
Fabricant Modèle de produit:RFUH10NS6STL
Fabricant / Marque:LAPIS Semiconductor
Brève description:DIODE GEN PURP 600V 10A LPDS
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:RFUH10NS6S
Application:-
Poids:-
Remplacement alternatif:-
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RFUH10NS6STL
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Paramètre du produit

Tension - directe (Vf) (max) @ Si 2.8V @ 10A
Tension - inverse (Vr) (max) 600V
Package composant fournisseur LPDS
La vitesse Fast Recovery = 200mA (Io)
Séries -
Temps de recouvrement inverse (trr) 25ns
Emballage Original-Reel®
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Autres noms RFUH10NS6STLDKR
Température d'utilisation - Jonction 150°C (Max)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 10 Weeks
Référence fabricant RFUH10NS6STL
Description élargie Diode Standard 600V 10A Surface Mount LPDS
Type de diode Standard
La description DIODE GEN PURP 600V 10A LPDS
Courant - fuite, inverse à Vr 10µA @ 600V
Courant - Rectifié moyenne (Io) 10A
Capacité à Vr, F -

Autres

Emballage normal 1
Autres noms RFUH10NS6STLDKR

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