RQ5E030AJTCL

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RQ5E030AJTCL

EXSHINE Modèle de produit:EX-RQ5E030AJTCL
Fabricant Modèle de produit:RQ5E030AJTCL
Fabricant / Marque:LAPIS Semiconductor
Brève description:NCH 30V 3A MIDDLE POWER MOSFET
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:RQ5E030AJ
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RQ5E030AJTCL
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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 1mA
Vgs (Max) ±12V
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur TSMT3
Séries -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 75 mOhm @ 3A, 4.5V
Dissipation de puissance (max) 1W (Tc)
Emballage Original-Reel®
Package / Boîte SC-96
Autres noms RQ5E030AJTCLDKR
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 10 Weeks
Référence fabricant RQ5E030AJTCL
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 240pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 2.1nC @ 4.5V
type de FET N-Channel
Fonction FET -
Description élargie N-Channel 30V 3A (Tc) 1W (Tc) Surface Mount TSMT3
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V
Tension drain-source (Vdss) 30V
La description NCH 30V 3A MIDDLE POWER MOSFET
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3A (Tc)

Autres

Autres noms RQ5E030AJTCLDKR
Emballage normal 1

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