RQ5E070BNTCL

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RQ5E070BNTCL

EXSHINE Modèle de produit:EX-RQ5E070BNTCL
Fabricant Modèle de produit:RQ5E070BNTCL
Fabricant / Marque:LAPIS Semiconductor
Brève description:NCH 30V 7A MIDDLE POWER MOSFET
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:RQ5E070BN
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RQ5E070BNTCL
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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Vgs (Max) ±20V
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur TSMT3
Séries -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16.1 mOhm @ 7A, 10V
Dissipation de puissance (max) 1W (Tc)
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte SC-96
Autres noms RQ5E070BNTCLTR
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 10 Weeks
Référence fabricant RQ5E070BNTCL
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 950pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 23nC @ 10V
type de FET N-Channel
Fonction FET -
Description élargie N-Channel 30V 7A (Tc) 1W (Tc) Surface Mount TSMT3
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V
Tension drain-source (Vdss) 30V
La description NCH 30V 7A MIDDLE POWER MOSFET
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 7A (Tc)

Autres

Emballage normal 3,000
Autres noms RQ5E070BNTCLTR

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