RQ7E055ATTCR

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RQ7E055ATTCR

EXSHINE Modèle de produit:EX-RQ7E055ATTCR
Fabricant Modèle de produit:RQ7E055ATTCR
Fabricant / Marque:LAPIS Semiconductor
Brève description:PCH -30V -5.5A MIDDLE POWER MOSF
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:1
Datasheet Télécharger:RQ7E055AT
Application:-
Poids:-
Remplacement alternatif:-
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RQ7E055ATTCR
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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Vgs (Max) ±20V
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur TSMT8
Séries -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24.5 mOhm @ 5.5A, 10V
Dissipation de puissance (max) 1.5W (Tc)
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte 8-SMD, Flat Lead
Autres noms RQ7E055ATTCRTR
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 10 Weeks
Référence fabricant RQ7E055ATTCR
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 860pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 18.8nC @ 10V
type de FET P-Channel
Fonction FET -
Description élargie P-Channel 30V 5.5A (Tc) 1.5W (Tc) Surface Mount TSMT8
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V
Tension drain-source (Vdss) 30V
La description PCH -30V -5.5A MIDDLE POWER MOSF
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 5.5A (Tc)

Autres

Emballage normal 3,000
Autres noms RQ7E055ATTCRTR

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