RQ7E110AJTCR

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RQ7E110AJTCR

EXSHINE Modèle de produit:EX-RQ7E110AJTCR
Fabricant Modèle de produit:RQ7E110AJTCR
Fabricant / Marque:LAPIS Semiconductor
Brève description:NCH 30V 11A MIDDLE POWER MOSFET
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:1
Datasheet Télécharger:RQ7E110AJ
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RQ7E110AJTCR
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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 10mA
Vgs (Max) ±12V
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur TSMT8
Séries -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9 mOhm @ 4.5A, 11V
Dissipation de puissance (max) 1.5W (Tc)
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte 8-SMD, Flat Lead
Autres noms RQ7E110AJTCRTR
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 10 Weeks
Référence fabricant RQ7E110AJTCR
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2410pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 22nC @ 4.5V
type de FET N-Channel
Fonction FET -
Description élargie N-Channel 30V 11A (Tc) 1.5W (Tc) Surface Mount TSMT8
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V
Tension drain-source (Vdss) 30V
La description NCH 30V 11A MIDDLE POWER MOSFET
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 11A (Tc)

Autres

Autres noms RQ7E110AJTCRTR
Emballage normal 3,000

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