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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > RSF010P03TL
RSF010P03TL

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RSF010P03TL

EXSHINE Modèle de produit:EX-RSF010P03TL
Fabricant Modèle de produit:RSF010P03TL
Fabricant / Marque:LAPIS Semiconductor
Brève description:MOSFET P-CH 30V 1A TUMT3
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:1
Datasheet Télécharger:RSF010P03 Datasheet
Application:-
Poids:-
Remplacement alternatif:-
Disponibilité en temps réel pour
RSF010P03TL
En stock: 64016000 les pièces peuvent être expédiées sous 1 à 2 jours.
Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines

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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id -
Vgs (Max) ±20V
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur TUMT3
Séries -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 350 mOhm @ 1A, 10V
Dissipation de puissance (max) 800mW (Ta)
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte 3-SMD, Flat Leads
Autres noms RSF010P03TLTR
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Référence fabricant RSF010P03TL
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 120pF @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 1.9nC @ 5V
type de FET P-Channel
Fonction FET -
Description élargie P-Channel 30V 1A (Ta) 800mW (Ta) Surface Mount TUMT3
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4V, 10V
Tension drain-source (Vdss) 30V
La description MOSFET P-CH 30V 1A TUMT3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1A (Ta)

Autres

Autres noms RSF010P03TLTR
Emballage normal 3,000

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