RSF015N06TL

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RSF015N06TL

EXSHINE Modèle de produit:EX-RSF015N06TL
Fabricant Modèle de produit:RSF015N06TL
Fabricant / Marque:LAPIS Semiconductor
Brève description:MOSFET N-CH 60V 1.5A TUMT3
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:1
Datasheet Télécharger:RSF015N106
Application:-
Poids:-
Remplacement alternatif:-
Disponibilité en temps réel pour
RSF015N06TL
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Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines

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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur TUMT3
Séries -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 290 mOhm @ 1.5A, 10V
Dissipation de puissance (max) 800mW (Ta)
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte 3-SMD, Flat Leads
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 10 Weeks
Référence fabricant RSF015N06TL
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 110pF @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 2nC @ 5V
type de FET N-Channel
Fonction FET -
Description élargie N-Channel 60V 1.5A (Ta) 800mW (Ta) Surface Mount TUMT3
Tension drain-source (Vdss) 60V
La description MOSFET N-CH 60V 1.5A TUMT3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1.5A (Ta)

Autres

Emballage normal 3,000

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