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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > RSS050P03FU6TB
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RSS050P03FU6TB
| EXSHINE Modèle de produit: | EX-RSS050P03FU6TB |
|---|---|
| Fabricant Modèle de produit: | RSS050P03FU6TB |
| Fabricant / Marque: | LAPIS Semiconductor |
| Brève description: | MOSFET P-CH 30V 5A 8SOIC |
| État sans plomb / État RoHS: | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Condition: | 1 |
| Datasheet Télécharger: | RSS050P03 |
| Application: | - |
| Poids: | - |
| Remplacement alternatif: | - |
Disponibilité en temps réel pour
RSS050P03FU6TB
En stock: 98484000 les pièces peuvent être expédiées sous 1 à 2 jours.
Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines
En stock: 98484000 les pièces peuvent être expédiées sous 1 à 2 jours.
Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines
- La description
- Paiement
- livraison
- Emballage
Paramètre du produit
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
|---|---|
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | 8-SOP |
| Séries | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 42 mOhm @ 5A, 10V |
| Dissipation de puissance (max) | 2W (Ta) |
| Emballage | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Référence fabricant | RSS050P03FU6TB |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1200pF @ 10V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 5V |
| type de FET | P-Channel |
| Fonction FET | - |
| Description élargie | P-Channel 30V 5A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SOP |
| Tension drain-source (Vdss) | 30V |
| La description | MOSFET P-CH 30V 5A 8SOIC |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 5A (Ta) |
Autres
| Emballage normal | 2,500 |
|---|
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