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RSS060P05FU6TB

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RSS060P05FU6TB

EXSHINE Modèle de produit:EX-RSS060P05FU6TB
Fabricant Modèle de produit:RSS060P05FU6TB
Fabricant / Marque:LAPIS Semiconductor
Brève description:MOSFET P-CH 45V 6A 8-SOIC
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:1
Datasheet Télécharger:RSS060P05
Application:-
Poids:-
Remplacement alternatif:-
Disponibilité en temps réel pour
RSS060P05FU6TB
En stock: 69394000 les pièces peuvent être expédiées sous 1 à 2 jours.
Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines

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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id -
Vgs (Max) ±20V
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur 8-SOP
Séries -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 36 mOhm @ 6A, 10V
Dissipation de puissance (max) 2W (Ta)
Emballage Original-Reel®
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Autres noms RSS060P05FU6TBDKR
Température de fonctionnement -
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Référence fabricant RSS060P05FU6TB
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2700pF @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 32.2nC @ 5V
type de FET P-Channel
Fonction FET -
Description élargie P-Channel 45V 6A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SOP
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4V, 10V
Tension drain-source (Vdss) 45V
La description MOSFET P-CH 45V 6A 8-SOIC
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 6A (Ta)

Autres

Emballage normal 1
Autres noms RSS060P05FU6TBDKR

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