EXSHINE Modèle de produit: | EX-SCS210AJTLL |
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Fabricant Modèle de produit: | SCS210AJTLL |
Fabricant / Marque: | LAPIS Semiconductor |
Brève description: | DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO263AB |
État sans plomb / État RoHS: | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Condition: | New and unused, Original |
Datasheet Télécharger: | SCS210AJSchottky Barrier Diode Part No. ExplanationSiC Power Devices Catalog |
Application: | - |
Poids: | - |
Remplacement alternatif: | - |
Tension - directe (Vf) (max) @ Si | 1.55V @ 10A |
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Tension - inverse (Vr) (max) | 650V |
Package composant fournisseur | TO-263AB |
La vitesse | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Séries | - |
Temps de recouvrement inverse (trr) | 0ns |
Emballage | Original-Reel® |
Package / Boîte | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Autres noms | SCS210AJTLLDKR |
Température d'utilisation - Jonction | 175°C (Max) |
Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Délai de livraison standard du fabricant | 14 Weeks |
Référence fabricant | SCS210AJTLL |
Description élargie | Diode Silicon Carbide Schottky 650V 10A (DC) Surface Mount TO-263AB |
Type de diode | Silicon Carbide Schottky |
La description | DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO263AB |
Courant - fuite, inverse à Vr | 200µA @ 600V |
Courant - Rectifié moyenne (Io) | 10A (DC) |
Capacité à Vr, F | 365pF @ 1V, 1MHz |
Emballage normal | 1 |
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Autres noms | SCS210AJTLLDKR |
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