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SCS215AEC
| EXSHINE Modèle de produit: | EX-SCS215AEC |
|---|---|
| Fabricant Modèle de produit: | SCS215AEC |
| Fabricant / Marque: | LAPIS Semiconductor |
| Brève description: | DIODE SILICON 650V 15A TO247 |
| État sans plomb / État RoHS: | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Condition: | New and unused, Original |
| Datasheet Télécharger: | Schottky Barrier Diode Part No. ExplanationSCS215AE |
| Application: | - |
| Poids: | - |
| Remplacement alternatif: | - |
Disponibilité en temps réel pour
SCS215AEC
En stock: 59000 les pièces peuvent être expédiées sous 1 à 2 jours.
Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines
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Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines
- La description
- Paiement
- livraison
- Emballage
Paramètre du produit
| Tension - directe (Vf) (max) @ Si | 1.55V @ 15A |
|---|---|
| Tension - inverse (Vr) (max) | 650V |
| Package composant fournisseur | TO-247 |
| La vitesse | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Séries | - |
| Temps de recouvrement inverse (trr) | 0ns |
| Emballage | Tube |
| Package / Boîte | TO-247-3 |
| Température d'utilisation - Jonction | 175°C (Max) |
| Type de montage | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant | 12 Weeks |
| Référence fabricant | SCS215AEC |
| Description élargie | Diode Silicon Carbide Schottky 650V 15A Through Hole TO-247 |
| Type de diode | Silicon Carbide Schottky |
| La description | DIODE SILICON 650V 15A TO247 |
| Courant - fuite, inverse à Vr | 300µA @ 600V |
| Courant - Rectifié moyenne (Io) | 15A |
| Capacité à Vr, F | 550pF @ 1V, 1MHz |
Autres
| Emballage normal | 360 |
|---|
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