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APT150GN60B2G

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APT150GN60B2G

EXSHINE Modèle de produit:EX-APT150GN60B2G
Fabricant Modèle de produit:APT150GN60B2G
Fabricant / Marque:Microsemi
Brève description:IGBT 600V 220A 536W SOT227
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:APT150GN60B2G
Application:-
Poids:-
Remplacement alternatif:-
Disponibilité en temps réel pour
APT150GN60B2G
En stock: 99490 les pièces peuvent être expédiées sous 1 à 2 jours.
Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines

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Paramètre du produit

Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 600V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 1.85V @ 15V, 150A
Condition de test 400V, 150A, 1 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 44ns/430ns
énergie de commutation 8.81mJ (on), 4.295mJ (off)
Séries -
Puissance - Max 536W
Emballage Tube
Package / Boîte TO-247-3 Variant
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 22 Weeks
Référence fabricant APT150GN60B2G
Type d'entrée Standard
type de IGBT Trench Field Stop
gate charge 970nC
Description élargie IGBT Trench Field Stop 600V 220A 536W Through Hole
La description IGBT 600V 220A 536W SOT227
Courant - Collecteur pulsée (Icm) 450A
Courant - Collecteur (Ic) (max) 220A

Autres

Emballage normal 30

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Distributeur de Microsemi Corporation

- Micro / sys propose une large gamme de processeurs, allant d’ordinateurs économiques basés sur le 80C188 aux centrales de Pentium, en passant par les produits périphériques et d’E / S.

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