APT64GA90B2D30

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APT64GA90B2D30

EXSHINE Modèle de produit:EX-APT64GA90B2D30
Fabricant Modèle de produit:APT64GA90B2D30
Fabricant / Marque:Microsemi
Brève description:IGBT 900V 117A 500W TO-247
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:APT64GA90x(2)D30
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APT64GA90B2D30
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Paramètre du produit

Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 900V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 3.1V @ 15V, 38A
Condition de test 600V, 38A, 4.7 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 18ns/131ns
énergie de commutation 1192µJ (on), 1088µJ (off)
Séries POWER MOS 8™
Puissance - Max 500W
Emballage Tube
Package / Boîte TO-247-3 Variant
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 22 Weeks
Référence fabricant APT64GA90B2D30
Type d'entrée Standard
type de IGBT PT
gate charge 162nC
Description élargie IGBT PT 900V 117A 500W Through Hole
La description IGBT 900V 117A 500W TO-247
Courant - Collecteur pulsée (Icm) 193A
Courant - Collecteur (Ic) (max) 117A

Autres

Emballage normal 30

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