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APT65GP60B2G

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APT65GP60B2G

EXSHINE Modèle de produit:EX-APT65GP60B2G
Fabricant Modèle de produit:APT65GP60B2G
Fabricant / Marque:Microsemi
Brève description:IGBT 600V 100A 833W TMAX
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:APT65GP60B2
Application:-
Poids:-
Remplacement alternatif:-
Disponibilité en temps réel pour
APT65GP60B2G
En stock: 26690 les pièces peuvent être expédiées sous 1 à 2 jours.
Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines

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Paramètre du produit

Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 600V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 65A
Condition de test 400V, 65A, 5 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 30ns/91ns
énergie de commutation 605µJ (on), 896µJ (off)
Séries POWER MOS 7®
Puissance - Max 833W
Emballage Tube
Package / Boîte TO-247-3 Variant
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Référence fabricant APT65GP60B2G
Type d'entrée Standard
type de IGBT PT
gate charge 210nC
Description élargie IGBT PT 600V 100A 833W Through Hole
La description IGBT 600V 100A 833W TMAX
Courant - Collecteur pulsée (Icm) 250A
Courant - Collecteur (Ic) (max) 100A

Autres

Emballage normal 30

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Distributeur de Microsemi Corporation

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