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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - IGBT - Single > APT65GP60L2DQ2G
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APT65GP60L2DQ2G
| EXSHINE Modèle de produit: | EX-APT65GP60L2DQ2G |
|---|---|
| Fabricant Modèle de produit: | APT65GP60L2DQ2G |
| Fabricant / Marque: | Microsemi |
| Brève description: | IGBT 600V 198A 833W TO264 |
| État sans plomb / État RoHS: | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Condition: | New and unused, Original |
| Datasheet Télécharger: | APT65GP60L2DQ2(G) |
| Application: | - |
| Poids: | - |
| Remplacement alternatif: | - |
Disponibilité en temps réel pour
APT65GP60L2DQ2G
En stock: 90680 les pièces peuvent être expédiées sous 1 à 2 jours.
Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines
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Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines
- La description
- Paiement
- livraison
- Emballage
Paramètre du produit
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 600V |
|---|---|
| Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 65A |
| Condition de test | 400V, 65A, 5 Ohm, 15V |
| Td (marche / arrêt) à 25 ° C | 30ns/90ns |
| énergie de commutation | 605µJ (on), 895µJ (off) |
| Séries | POWER MOS 7® |
| Puissance - Max | 833W |
| Emballage | Tube |
| Package / Boîte | TO-264-3, TO-264AA |
| Autres noms | APT65GP60L2DQ2GMI APT65GP60L2DQ2GMI-ND |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Référence fabricant | APT65GP60L2DQ2G |
| Type d'entrée | Standard |
| type de IGBT | PT |
| gate charge | 210nC |
| Description élargie | IGBT PT 600V 198A 833W Through Hole |
| La description | IGBT 600V 198A 833W TO264 |
| Courant - Collecteur pulsée (Icm) | 250A |
| Courant - Collecteur (Ic) (max) | 198A |
Autres
| Autres noms | APT65GP60L2DQ2GMI APT65GP60L2DQ2GMI-ND |
|---|---|
| Emballage normal | 25 |
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