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APT66M60B2

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APT66M60B2

EXSHINE Modèle de produit:EX-APT66M60B2
Fabricant Modèle de produit:APT66M60B2
Fabricant / Marque:Microsemi
Brève description:MOSFET N-CH 600V 66A T-MAX
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:Power Products CatalogAPT66M60(B2,L)
Application:-
Poids:-
Remplacement alternatif:-
Disponibilité en temps réel pour
APT66M60B2
En stock: 54920 les pièces peuvent être expédiées sous 1 à 2 jours.
Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines

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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur T-MAX™ [B2]
Séries -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100 mOhm @ 33A, 10V
Dissipation de puissance (max) 1135W (Tc)
Emballage Tube
Package / Boîte TO-247-3 Variant
Autres noms APT66M60B2MI
APT66M60B2MI-ND
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 22 Weeks
Référence fabricant APT66M60B2
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 13190pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 330nC @ 10V
type de FET N-Channel
Fonction FET -
Description élargie N-Channel 600V 70A (Tc) 1135W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]
Tension drain-source (Vdss) 600V
La description MOSFET N-CH 600V 66A T-MAX
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 70A (Tc)

Autres

Emballage normal 30
Autres noms APT66M60B2MI

APT66M60B2MI-ND

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