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APT68GA60B2D40

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APT68GA60B2D40

EXSHINE Modèle de produit:EX-APT68GA60B2D40
Fabricant Modèle de produit:APT68GA60B2D40
Fabricant / Marque:Microsemi
Brève description:IGBT 600V 121A 520W TO-247
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:APT68GA60x(2)D40
Application:-
Poids:-
Remplacement alternatif:-
Disponibilité en temps réel pour
APT68GA60B2D40
En stock: 91670 les pièces peuvent être expédiées sous 1 à 2 jours.
Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines

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Paramètre du produit

Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 600V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 40A
Condition de test 400V, 40A, 4.7 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 21ns/133ns
énergie de commutation 715µJ (on), 607µJ (off)
Séries POWER MOS 8™
Puissance - Max 520W
Emballage Tube
Package / Boîte TO-247-3 Variant
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 22 Weeks
Référence fabricant APT68GA60B2D40
Type d'entrée Standard
type de IGBT PT
gate charge 198nC
Description élargie IGBT PT 600V 121A 520W Through Hole
La description IGBT 600V 121A 520W TO-247
Courant - Collecteur pulsée (Icm) 202A
Courant - Collecteur (Ic) (max) 121A

Autres

Emballage normal 30

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Distributeur de Microsemi Corporation

- Micro / sys propose une large gamme de processeurs, allant d’ordinateurs économiques basés sur le 80C188 aux centrales de Pentium, en passant par les produits périphériques et d’E / S.

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