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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - IGBT - Modules > APTGT75DH120T3G
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APTGT75DH120T3G
| EXSHINE Modèle de produit: | EX-APTGT75DH120T3G |
|---|---|
| Fabricant Modèle de produit: | APTGT75DH120T3G |
| Fabricant / Marque: | Microsemi |
| Brève description: | MOD IGBT 1200V 110A SP3 |
| État sans plomb / État RoHS: | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Condition: | New and unused, Original |
| Datasheet Télécharger: | APTGT75DH120T3G |
| Application: | - |
| Poids: | - |
| Remplacement alternatif: | - |
Disponibilité en temps réel pour
APTGT75DH120T3G
En stock: 43420 les pièces peuvent être expédiées sous 1 à 2 jours.
Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines
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Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines
- La description
- Paiement
- livraison
- Emballage
Paramètre du produit
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 1200V |
|---|---|
| Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 75A |
| Package composant fournisseur | SP3 |
| Séries | - |
| Puissance - Max | 357W |
| Package / Boîte | SP3 |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| NTC thermistance | Yes |
| Type de montage | Chassis Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant | 22 Weeks |
| Référence fabricant | APTGT75DH120T3G |
| Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | 5.34nF @ 25V |
| Contribution | Standard |
| type de IGBT | Trench Field Stop |
| Description élargie | IGBT Module Trench Field Stop Asymmetrical Bridge 1200V 110A 357W Chassis Mount SP3 |
| La description | MOD IGBT 1200V 110A SP3 |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max) | 250µA |
| Courant - Collecteur (Ic) (max) | 110A |
| Configuration | Asymmetrical Bridge |
Autres
| Emballage normal | 1 |
|---|
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EMS EXPRESS Délai de livraison: 7-10 jours. |
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Distributeur de Microsemi Corporation
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