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APTGT75DH60T1G

EXSHINE Modèle de produit:EX-APTGT75DH60T1G
Fabricant Modèle de produit:APTGT75DH60T1G
Fabricant / Marque:Microsemi
Brève description:MOD IGBT 600V 100A SP1
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:APTGT75DH60T1G
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APTGT75DH60T1G
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Paramètre du produit

Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 600V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 75A
Package composant fournisseur SP1
Séries -
Puissance - Max 250W
Package / Boîte SP1
Température de fonctionnement -40°C ~ 175°C (TJ)
NTC thermistance Yes
Type de montage Chassis Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 22 Weeks
Référence fabricant APTGT75DH60T1G
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce 4.62nF @ 25V
Contribution Standard
type de IGBT Trench Field Stop
Description élargie IGBT Module Trench Field Stop Asymmetrical Bridge 600V 100A 250W Chassis Mount SP1
La description MOD IGBT 600V 100A SP1
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 250µA
Courant - Collecteur (Ic) (max) 100A
Configuration Asymmetrical Bridge

Autres

Emballage normal 1

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