APTM100H45STG

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APTM100H45STG

EXSHINE Modèle de produit:EX-APTM100H45STG
Fabricant Modèle de produit:APTM100H45STG
Fabricant / Marque:Microsemi
Brève description:MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP4
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:APTM100H45STGPower Products Catalog
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APTM100H45STG
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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA
Package composant fournisseur SP4
Séries -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 540 mOhm @ 9A, 10V
Puissance - Max 357W
Emballage Bulk
Package / Boîte SP4
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 22 Weeks
Référence fabricant APTM100H45STG
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4350pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 154nC @ 10V
type de FET 4 N-Channel (H-Bridge)
Fonction FET Standard
Description élargie Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 1000V (1kV) 18A 357W Chassis Mount SP4
Tension drain-source (Vdss) 1000V (1kV)
La description MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP4
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 18A

Autres

Emballage normal 1

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