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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - tableaux > APTM100H46FT3G
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APTM100H46FT3G
| EXSHINE Modèle de produit: | EX-APTM100H46FT3G |
|---|---|
| Fabricant Modèle de produit: | APTM100H46FT3G |
| Fabricant / Marque: | Microsemi |
| Brève description: | MOSFET 4N-CH 1000V 19A SP3 |
| État sans plomb / État RoHS: | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Condition: | New and unused, Original |
| Datasheet Télécharger: | APTM100H46FT3G |
| Application: | - |
| Poids: | - |
| Remplacement alternatif: | - |
Disponibilité en temps réel pour
APTM100H46FT3G
En stock: 79650 les pièces peuvent être expédiées sous 1 à 2 jours.
Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines
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Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines
- La description
- Paiement
- livraison
- Emballage
Paramètre du produit
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
|---|---|
| Package composant fournisseur | SP3 |
| Séries | POWER MOS 8™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 552 mOhm @ 16A, 10V |
| Puissance - Max | 357W |
| Emballage | Bulk |
| Package / Boîte | SP3 |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Chassis Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant | 22 Weeks |
| Référence fabricant | APTM100H46FT3G |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 6800pF @ 25V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 260nC @ 10V |
| type de FET | 4 N-Channel (H-Bridge) |
| Fonction FET | Standard |
| Description élargie | Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 1000V (1kV) 19A 357W Chassis Mount SP3 |
| Tension drain-source (Vdss) | 1000V (1kV) |
| La description | MOSFET 4N-CH 1000V 19A SP3 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 19A |
Autres
| Emballage normal | 1 |
|---|
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EMS EXPRESS Délai de livraison: 7-10 jours. |
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