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CSD19536KCS
| EXSHINE Modèle de produit: | EX-CSD19536KCS |
|---|---|
| Fabricant Modèle de produit: | CSD19536KCS |
| Fabricant / Marque: | Texas Instruments |
| Brève description: | MOSFET N-CH 100V TO-220 |
| État sans plomb / État RoHS: | Contient du plomb / conforme à la directive RoHS |
| Condition: | New and unused, Original |
| Datasheet Télécharger: | CSD19536KCS |
| Application: | - |
| Poids: | - |
| Remplacement alternatif: | - |
Disponibilité en temps réel pour
CSD19536KCS
En stock: 73090 les pièces peuvent être expédiées sous 1 à 2 jours.
Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines
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Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines
- La description
- Paiement
- livraison
- Emballage
Paramètre du produit
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.2V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max) | ±20V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | TO-220-3 |
| Séries | NexFET™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.7 mOhm @ 100A, 10V |
| Dissipation de puissance (max) | 375W (Tc) |
| Emballage | Tube |
| Package / Boîte | TO-220-3 |
| Autres noms | 296-37289-5 |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant | 20 Weeks |
| Référence fabricant | CSD19536KCS |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 12000pF @ 50V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 153nC @ 10V |
| type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - |
| Description élargie | N-Channel 100V 150A (Ta) 375W (Tc) Through Hole TO-220-3 |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 6V, 10V |
| Tension drain-source (Vdss) | 100V |
| La description | MOSFET N-CH 100V TO-220 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 150A (Ta) |
Autres
| Autres noms | 296-37289-5 |
|---|---|
| Emballage normal | 50 |
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EMS EXPRESS Délai de livraison: 7-10 jours. |
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