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CSD19538Q3AT

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CSD19538Q3AT

EXSHINE Modèle de produit:EX-CSD19538Q3AT
Fabricant Modèle de produit:CSD19538Q3AT
Fabricant / Marque:Texas Instruments
Brève description:MOSFET N-CH 100V 15A VSONP
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:CSD19538Q3AT
Application:-
Poids:-
Remplacement alternatif:-
Disponibilité en temps réel pour
CSD19538Q3AT
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Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines

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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 3.8V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur 8-VSONP (3x3.15)
Séries NexFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 59 mOhm @ 5A, 10V
Dissipation de puissance (max) 2.8W (Ta), 23W (Tc)
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte 8-PowerVDFN
Autres noms 296-44473-2
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 6 Weeks
Référence fabricant CSD19538Q3AT
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 454pF @ 50V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 4.3nC @ 10V
type de FET N-Channel
Fonction FET -
Description élargie N-Channel 100V 15A (Ta) 2.8W (Ta), 23W (Tc) Surface Mount 8-VSONP (3x3.15)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 6V, 10V
Tension drain-source (Vdss) 100V
La description MOSFET N-CH 100V 15A VSONP
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 15A (Ta)

Autres

Autres noms 296-44473-2
Emballage normal 250

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