SI1902CDL-T1-GE3

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SI1902CDL-T1-GE3

EXSHINE Modèle de produit:EX-SI1902CDL-T1-GE3
Fabricant Modèle de produit:SI1902CDL-T1-GE3
Fabricant / Marque:Vishay / Siliconix
Brève description:MOSFET 2N-CH 20V 1.1A SC-70-6
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:SI1902CDL-T1-GE3
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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Package composant fournisseur SC-70-6 (SOT-363)
Séries TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 235 mOhm @ 1A, 4.5V
Puissance - Max 420mW
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Autres noms SI1902CDL-T1-GE3-ND
SI1902CDL-T1-GE3TR
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 24 Weeks
Référence fabricant SI1902CDL-T1-GE3
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 62pF @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 3nC @ 10V
type de FET 2 N-Channel (Dual)
Fonction FET Logic Level Gate
Description élargie Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 1.1A 420mW Surface Mount SC-70-6 (SOT-363)
Tension drain-source (Vdss) 20V
La description MOSFET 2N-CH 20V 1.1A SC-70-6
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1.1A

Autres

Emballage normal 3,000
Autres noms SI1902CDL-T1-GE3-ND

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Distributeur de Vishay Siliconix

- Le portefeuille de produits de Vishay comprend une collection inégalée de semi-conducteurs discrets (diodes, MOSFET et optoélectronique) et de composants passifs (résistances, inductances et condensateurs). Ces composants sont utilisés dans pratiquement tous les types d'appareils et équipements électroniques des marchés de l'industrie, de l'informatique, de l'automobile, de la consommation, des télécommunications, de l'armée, de l'aérospatiale et de la médecine. Vishay est fier d'être un partenaire majeur de exshinetech.com.

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