SI5511DC-T1-GE3

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SI5511DC-T1-GE3

EXSHINE Modèle de produit:EX-SI5511DC-T1-GE3
Fabricant Modèle de produit:SI5511DC-T1-GE3
Fabricant / Marque:Vishay / Siliconix
Brève description:MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:SI5511DC
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SI5511DC-T1-GE3
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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Package composant fournisseur 1206-8 ChipFET™
Séries TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 55 mOhm @ 4.8A, 4.5V
Puissance - Max 3.1W, 2.6W
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte 8-SMD, Flat Lead
Autres noms SI5511DC-T1-GE3TR
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Référence fabricant SI5511DC-T1-GE3
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 435pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 7.1nC @ 5V
type de FET N and P-Channel
Fonction FET Logic Level Gate
Description élargie Mosfet Array N and P-Channel 30V 4A, 3.6A 3.1W, 2.6W Surface Mount 1206-8 ChipFET™
Tension drain-source (Vdss) 30V
La description MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4A, 3.6A

Autres

Emballage normal 3,000
Autres noms SI5511DC-T1-GE3TR

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Distributeur de Vishay Siliconix

- Le portefeuille de produits de Vishay comprend une collection inégalée de semi-conducteurs discrets (diodes, MOSFET et optoélectronique) et de composants passifs (résistances, inductances et condensateurs). Ces composants sont utilisés dans pratiquement tous les types d'appareils et équipements électroniques des marchés de l'industrie, de l'informatique, de l'automobile, de la consommation, des télécommunications, de l'armée, de l'aérospatiale et de la médecine. Vishay est fier d'être un partenaire majeur de exshinetech.com.

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