SI5513CDC-T1-GE3

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SI5513CDC-T1-GE3

EXSHINE Modèle de produit:EX-SI5513CDC-T1-GE3
Fabricant Modèle de produit:SI5513CDC-T1-GE3
Fabricant / Marque:Vishay / Siliconix
Brève description:MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:SI5513CDC
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SI5513CDC-T1-GE3
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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Package composant fournisseur 1206-8 ChipFET™
Séries TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 55 mOhm @ 4.4A, 4.5V
Puissance - Max 3.1W
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte 8-SMD, Flat Lead
Autres noms SI5513CDC-T1-GE3TR
SI5513CDCT1GE3
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 24 Weeks
Référence fabricant SI5513CDC-T1-GE3
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 285pF @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 4.2nC @ 5V
type de FET N and P-Channel
Fonction FET Logic Level Gate
Description élargie Mosfet Array N and P-Channel 20V 4A, 3.7A 3.1W Surface Mount 1206-8 ChipFET™
Tension drain-source (Vdss) 20V
La description MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4A, 3.7A

Autres

Autres noms SI5513CDC-T1-GE3TR

SI5513CDCT1GE3
Emballage normal 3,000

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Distributeur de Vishay Siliconix

- Le portefeuille de produits de Vishay comprend une collection inégalée de semi-conducteurs discrets (diodes, MOSFET et optoélectronique) et de composants passifs (résistances, inductances et condensateurs). Ces composants sont utilisés dans pratiquement tous les types d'appareils et équipements électroniques des marchés de l'industrie, de l'informatique, de l'automobile, de la consommation, des télécommunications, de l'armée, de l'aérospatiale et de la médecine. Vishay est fier d'être un partenaire majeur de exshinetech.com.

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