SIA418DJ-T1-GE3

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SIA418DJ-T1-GE3

EXSHINE Modèle de produit:EX-SIA418DJ-T1-GE3
Fabricant Modèle de produit:SIA418DJ-T1-GE3
Fabricant / Marque:Vishay / Siliconix
Brève description:MOSFET N-CH 30V 12A SC70-6
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:SIA418DJ
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SIA418DJ-T1-GE3
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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur PowerPAK® SC-70-6 Single
Séries TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18 mOhm @ 9A, 10V
Dissipation de puissance (max) 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte PowerPAK® SC-70-6
Autres noms SIA418DJ-T1-GE3TR
SIA418DJT1GE3
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 24 Weeks
Référence fabricant SIA418DJ-T1-GE3
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 570pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 10V
type de FET N-Channel
Fonction FET -
Description élargie N-Channel 30V 12A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Single
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss) 30V
La description MOSFET N-CH 30V 12A SC70-6
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 12A (Tc)

Autres

Emballage normal 3,000
Autres noms SIA418DJ-T1-GE3TR

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Distributeur de Vishay Siliconix

- Le portefeuille de produits de Vishay comprend une collection inégalée de semi-conducteurs discrets (diodes, MOSFET et optoélectronique) et de composants passifs (résistances, inductances et condensateurs). Ces composants sont utilisés dans pratiquement tous les types d'appareils et équipements électroniques des marchés de l'industrie, de l'informatique, de l'automobile, de la consommation, des télécommunications, de l'armée, de l'aérospatiale et de la médecine. Vishay est fier d'être un partenaire majeur de exshinetech.com.

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